1, Fotoelementu gala pieprasījums: pieprasījums pēc fotoelementu uzstādītās jaudas ir liels, un pieprasījums pēc polisilīcija ir apgriezts, pamatojoties uz uzstādītās jaudas prognozi
1.1.Polisilīcija patēriņš: globālaispatēriņa apjoms nepārtraukti pieaug, galvenokārt fotoelementu enerģijas ražošanai
Pēdējie desmit gadi, globālāpolisilīcijapatēriņš ir turpinājis pieaugt, un Ķīnas īpatsvars turpināja palielināties, ko vada fotoelementu nozare.No 2012. līdz 2021. gadam globālais polisilīcija patēriņš kopumā uzrādīja augšupejošu tendenci, pieaugot no 237 000 tonnu līdz aptuveni 653 000 tonnām.2018. gadā tika ieviesta Ķīnas jaunā 531 fotoelementu politika, kas nepārprotami samazināja subsīdiju likmi fotoelementu elektroenerģijas ražošanai.Jaunizveidotā fotoelementu jauda salīdzinājumā ar iepriekšējā gada atbilstošo periodu samazinājās par 18%, un tika ietekmēts pieprasījums pēc polisilīcija.Kopš 2019. gada valsts ir ieviesusi vairākas politikas, lai veicinātu fotoelementu tīkla paritāti.Strauji attīstoties fotoelementu nozarei, arī pieprasījums pēc polisilīcija ir iegājis straujas izaugsmes periodā.Šajā periodā Ķīnas polisilīcija patēriņa īpatsvars kopējā globālajā patēriņā turpināja pieaugt — no 61,5% 2012. gadā līdz 93,9% 2021. gadā, galvenokārt pateicoties Ķīnas strauji attīstošajai fotoelementu nozarei.No dažādu polisilīcija veidu globālā patēriņa modeļa viedokļa 2021. gadā fotoelementu elementiem izmantotie silīcija materiāli veidos vismaz 94%, no kuriem attiecīgi 91% un 3% būs saules kvalitātes polisilīcijs un 3%. elektroniskās kvalitātes polisilīcija, ko var izmantot mikroshēmām, veido 94%.Attiecība ir 6%, kas liecina, ka pašreizējā polisilīcija pieprasījumā dominē fotoelementi.Sagaidāms, ka līdz ar divu oglekļa dioksīda emisiju politikas sasilšanu pieprasījums pēc fotoelementu uzstādītās jaudas kļūs spēcīgāks, un turpinās pieaugt saules enerģijas polisilīcija patēriņš un īpatsvars.
1.2.Silīcija vafele: monokristāliskā silīcija plāksne ieņem galveno virzienu, un nepārtraukta Czochralski tehnoloģija strauji attīstās
Polisilīcija tiešā pakārtotā saite ir silīcija vafeles, un Ķīna pašlaik dominē pasaules silīcija plāksnīšu tirgū.No 2012. līdz 2021. gadam pasaules un Ķīnas silīcija plātņu ražošanas jauda un izlaide turpināja palielināties, un fotoelementu nozare turpināja uzplaukt.Silīcija vafeles kalpo kā tilts, kas savieno silīcija materiālus un akumulatorus, un netiek apgrūtināta ražošanas jauda, tāpēc tas turpina piesaistīt lielu skaitu uzņēmumu ienākšanai nozarē.2021. gadā Ķīnas silīcija plātņu ražotāji bija ievērojami paplašinājušiesražošanujaudu līdz 213,5 GW, kas izraisīja globālās silīcija plātņu ražošanas pieaugumu līdz 215,4 GW.Atbilstoši esošajām un no jauna palielinātajām ražošanas jaudām Ķīnā sagaidāms, ka turpmākajos gados gada pieauguma temps saglabāsies 15-25% apmērā, un Ķīnas vafeļu ražošana joprojām saglabās absolūtu dominējošo stāvokli pasaulē.
Polikristāliskā silīcija var izgatavot polikristāliskā silīcija lietņos vai monokristāliskā silīcija stieņos.Polikristāliskā silīcija lietņu ražošanas process galvenokārt ietver liešanas metodi un tiešās kausēšanas metodi.Šobrīd galvenā metode ir otrais veids, un zaudējumu līmenis pamatā tiek saglabāts aptuveni 5% apmērā.Liešanas metode galvenokārt ir vispirms izkausēt silīcija materiālu tīģelī un pēc tam ielej to citā iepriekš uzkarsētā tīģelī dzesēšanai.Kontrolējot dzesēšanas ātrumu, polikristāliskā silīcija lietnis tiek izliets ar virziena sacietēšanas tehnoloģiju.Tiešās kausēšanas metodes karstās kausēšanas process ir tāds pats kā liešanas metodei, kurā polisilīciju vispirms izkausē tieši tīģelī, bet dzesēšanas posms atšķiras no liešanas metodes.Lai gan abas metodes pēc būtības ir ļoti līdzīgas, tiešās kausēšanas metodei ir nepieciešams tikai viens tīģelis, un saražotais polisilīcija produkts ir labas kvalitātes, kas veicina polikristāliskā silīcija lietņu augšanu ar labāku orientāciju, un augšanas procesu ir viegli automatizēt, kas var padarīt kristāla iekšējo stāvokli Kļūdu samazināšana.Pašlaik vadošie uzņēmumi saules enerģijas materiālu nozarē parasti izmanto tiešās kausēšanas metodi, lai izgatavotu polikristāliskā silīcija lietņus, un oglekļa un skābekļa saturs ir salīdzinoši zems, kas tiek kontrolēts zem 10 ppma un 16 ppma.Nākotnē polikristāliskā silīcija lietņu ražošanā joprojām dominēs tiešās kausēšanas metode, un piecu gadu laikā zaudējumu līmenis saglabāsies ap 5%.
Monokristāliskā silīcija stieņu ražošana galvenokārt balstās uz Czochralski metodi, ko papildina vertikālās suspensijas zonas kausēšanas metode, un abu šo produktu ražotajiem produktiem ir atšķirīgs pielietojums.Czochralski metode izmanto grafīta pretestību, lai karsētu polikristālisko silīciju augstas tīrības pakāpes kvarca tīģelī tiešās caurules termiskā sistēmā, lai to izkausētu, pēc tam sēklu kristālu ievieto kausējuma virsmā saplūšanai un rotē sēklu kristālu, vienlaikus apgriežot tīģelis., sēklas kristāls tiek lēnām pacelts uz augšu, un monokristālisks silīcijs tiek iegūts sēšanas, pastiprināšanas, plecu pagriešanas, vienāda diametra augšanas un apdares procesos.Vertikālās peldošās zonas kausēšanas metode attiecas uz kolonnveida augstas tīrības polikristāliskā materiāla fiksēšanu krāsns kamerā, metāla spoles lēnu pārvietošanu pa polikristāliskā garuma virzienu un cauri kolonnu polikristāliskam, kā arī lielas jaudas radiofrekvences strāvas novadīšanu metālā. spole, lai izveidotu Daļa no polikristāliskā staba spoles iekšpuses kūst, un pēc spoles pārvietošanas kausējums pārkristalizējas, veidojot monokristālu.Atšķirīgo ražošanas procesu dēļ atšķiras ražošanas iekārtas, ražošanas izmaksas un produkcijas kvalitāte.Šobrīd produktiem, kas iegūti ar zonu kausēšanas metodi, ir augsta tīrības pakāpe un tos var izmantot pusvadītāju ierīču ražošanai, savukārt Čočraļska metode atbilst nosacījumiem monokristāla silīcija ražošanai fotoelementiem un tai ir zemākas izmaksas, tāpēc tā ir galvenā metode.2021. gadā taisnās vilkšanas metodes tirgus daļa ir aptuveni 85%, un tuvāko gadu laikā tā nedaudz palielināsies.Tiek prognozēts, ka tirgus daļas 2025. un 2030. gadā būs attiecīgi 87% un 90%.Runājot par monokristālu silīcija rajonu kausēšanu, reģionā kausētā monokristāla silīcija nozares koncentrācija pasaulē ir salīdzinoši augsta.iegāde), TOPSIL (Dānija) .Nākotnē izkausētā monokristāla silīcija izlaides apjoms būtiski nepalielināsies.Iemesls ir tāds, ka ar Ķīnu saistītās tehnoloģijas ir salīdzinoši atpalikušas salīdzinājumā ar Japānu un Vāciju, īpaši augstfrekvences apkures iekārtu jauda un kristalizācijas procesa apstākļi.Kausēta silīcija monokristāla tehnoloģija liela diametra apgabalā prasa Ķīnas uzņēmumiem pašiem turpināt izpēti.
Czochralski metodi var iedalīt nepārtrauktās kristāla vilkšanas tehnoloģijā (CCZ) un atkārtotas kristāla vilkšanas tehnoloģijā (RCZ).Pašlaik nozarē galvenā metode ir RCZ, kas atrodas pārejas posmā no RCZ uz CCZ.RZC monokristālu vilkšanas un padeves soļi ir neatkarīgi viens no otra.Pirms katras vilkšanas monokristāla lietnis ir jāatdzesē un jānoņem vārtu kamerā, savukārt CCZ var realizēt padevi un kausēšanu vilkšanas laikā.RCZ ir salīdzinoši nobriedis, un nākotnē ir maz iespēju veikt tehnoloģiskus uzlabojumus;savukārt CCZ ir izmaksu samazināšanas un efektivitātes uzlabošanas priekšrocības, un tas ir straujas attīstības stadijā.Izmaksu ziņā, salīdzinot ar RCZ, kas aizņem apmēram 8 stundas pirms viena stieņa izvilkšanas, CCZ var ievērojami uzlabot ražošanas efektivitāti, samazināt tīģeļa izmaksas un enerģijas patēriņu, novēršot šo darbību.Kopējā vienas krāsns jauda ir par vairāk nekā 20% lielāka nekā RCZ.Ražošanas izmaksas ir vairāk nekā 10% zemākas nekā RCZ.Efektivitātes ziņā CCZ tīģeļa dzīves cikla laikā (250 stundas) var pabeigt 8–10 monokristāla silīcija stieņu vilkšanu, savukārt RCZ var pabeigt tikai aptuveni 4, un ražošanas efektivitāti var palielināt par 100–150%. .Kvalitātes ziņā CCZ ir vienmērīgāka pretestība, mazāks skābekļa saturs, lēnāka metāla piemaisījumu uzkrāšanās, tāpēc tas ir vairāk piemērots n-veida monokristāla silīcija vafeļu pagatavošanai, kas arī atrodas straujas attīstības periodā.Pašlaik daži Ķīnas uzņēmumi ir paziņojuši, ka tiem ir CCZ tehnoloģija, un granulētā silīcija-CCZ-n-tipa monokristāliskā silīcija vafeļu ceļš būtībā ir bijis skaidrs, un ir pat sākuši izmantot 100% granulētu silīcija materiālus..Nākotnē CCZ pamatā aizstās RCZ, taču tas prasīs noteiktu procesu.
Monokristāliskā silīcija vafeļu ražošanas process ir sadalīts četros posmos: vilkšana, sagriešana, sagriešana, tīrīšana un šķirošana.Dimanta stiepļu griešanas metodes parādīšanās ir ievērojami samazinājusi griešanas zudumu līmeni.Kristāla vilkšanas process ir aprakstīts iepriekš.Griešanas process ietver saīsināšanas, kvadrātveida un noslīpēšanas darbības.Sagriešana ir griešanas mašīnas izmantošana, lai kolonnveida silīciju sagrieztu silīcija plāksnēs.Tīrīšana un šķirošana ir pēdējais posms silīcija vafeļu ražošanā.Dimanta stieples sagriešanas metodei ir acīmredzamas priekšrocības salīdzinājumā ar tradicionālo javas stieples sagriešanas metodi, kas galvenokārt atspoguļojas īsajā laika patēriņā un zemajos zudumos.Dimanta stieples ātrums ir piecas reizes lielāks nekā tradicionālās griešanas ātrums.Piemēram, vienas vafeles griešanai tradicionālā javas stieples griešana aizņem apmēram 10 stundas, bet dimanta stieples griešana aizņem tikai aptuveni 2 stundas.Arī dimanta stieples griešanas zudumi ir salīdzinoši nelieli, un bojājumu slānis, ko izraisa dimanta stieples griešana, ir mazāks nekā javas stieples griešanas gadījumā, kas veicina plānāku silīcija plātņu griešanu.Pēdējos gados, lai samazinātu griešanas zudumus un ražošanas izmaksas, uzņēmumi ir pievērsušies dimanta stieples griešanas metodēm, un dimanta stiepļu kopņu stieņu diametrs kļūst arvien mazāks.2021. gadā dimanta stiepļu kopnes diametrs būs 43-56 μm, un dimanta stiepļu kopnes diametrs, ko izmanto monokristāliskā silīcija plāksnēm, ievērojami samazināsies un turpinās samazināties.Tiek lēsts, ka 2025. un 2030. gadā monokristāliskā silīcija plātņu griešanai izmantoto dimanta stiepļu kopņu diametri būs attiecīgi 36 μm un 33 μm, bet polikristāliskā silīcija plātņu griešanai izmantoto dimanta stiepļu kopņu diametri būs 51 μm. un attiecīgi 51 μm.Tas ir tāpēc, ka polikristāliskā silīcija plāksnēs ir daudz defektu un piemaisījumu, un tievie vadi ir pakļauti lūzumiem.Tāpēc dimanta stieples kopnes diametrs, ko izmanto polikristāliskā silīcija plāksnīšu griešanai, ir lielāks nekā monokristāliskā silīcija plāksnīšu diametrs, un, pakāpeniski samazinoties polikristāliskā silīcija plāksnīšu tirgus daļai, to izmanto polikristāliskā silīcija griešanai. Dimanta diametra samazināšana šķēlēs nogrieztās stiepļu kopnes ir palēninājušās.
Pašlaik silīcija vafeles galvenokārt iedala divos veidos: polikristāliskā silīcija vafeles un monokristāliskā silīcija vafeles.Monokristālisko silīcija plātņu priekšrocības ir ilgs kalpošanas laiks un augsta fotoelektriskās konversijas efektivitāte.Polikristāliskā silīcija vafeles sastāv no kristāla graudiņiem ar atšķirīgu kristāla plaknes orientāciju, savukārt monokristāliskā silīcija vafeles ir izgatavotas no polikristāliskā silīcija kā izejmateriāla un tām ir tāda pati kristāla plaknes orientācija.Pēc izskata polikristāliskā silīcija vafeles un monokristāla silīcija vafeles ir zili melnas un melni brūnas.Tā kā abi ir izgriezti no polikristāliskā silīcija lietņiem un monokristāliskā silīcija stieņiem, formas ir kvadrātveida un kvazi-kvadrātveida.Polikristāliskā silīcija vafeļu un monokristāliskā silīcija plātņu kalpošanas laiks ir aptuveni 20 gadi.Ja iepakošanas metode un lietošanas vide ir piemērota, kalpošanas laiks var sasniegt vairāk nekā 25 gadus.Vispārīgi runājot, monokristāliskā silīcija plātņu kalpošanas laiks ir nedaudz ilgāks nekā polikristāliskā silīcija plāksnīšu kalpošanas laiks.Turklāt monokristāliskā silīcija plāksnītēm ir arī nedaudz labāka fotoelektriskās konversijas efektivitāte, un to dislokācijas blīvums un metālu piemaisījumi ir daudz mazāki nekā polikristāliskā silīcija plāksnēm.Dažādu faktoru kopējā ietekme padara monokristālu mazākuma nesēja kalpošanas laiku desmitiem reižu garāku nekā polikristāliskā silīcija plāksnīšu kalpošanas laiks.Tādējādi parādot konversijas efektivitātes priekšrocības.2021. gadā augstākā polikristāliskā silīcija plātņu konversijas efektivitāte būs aptuveni 21%, bet monokristāliskā silīcija plāksnīšu – līdz 24,2%.
Papildus ilgam kalpošanas laikam un augstajai konversijas efektivitātei monokristāliskā silīcija plāksnītēm ir arī retināšanas priekšrocība, kas palīdz samazināt silīcija patēriņu un silīcija plāksnīšu izmaksas, taču pievērsiet uzmanību sadrumstalotības ātruma palielināšanai.Silīcija plātņu retināšana palīdz samazināt ražošanas izmaksas, un pašreizējais sagriešanas process var pilnībā apmierināt retināšanas vajadzības, taču silīcija plātņu biezumam jāatbilst arī pakārtotās šūnu un komponentu ražošanas vajadzībām.Kopumā pēdējos gados silīcija plātņu biezums ir samazinājies, un polikristāliskā silīcija plātņu biezums ir ievērojami lielāks nekā monokristāliskā silīcija plātņu biezums.Monokristāliskā silīcija vafeles tiek iedalītas n-veida silīcija plāksnēs un p-veida silīcija plāksnēs, savukārt n-veida silīcija plāksnītes galvenokārt ietver TOPCon Battery lietojumu un HJT bateriju izmantošanu.2021. gadā vidējais polikristāliskā silīcija plātņu biezums ir 178 μm, un pieprasījuma trūkums nākotnē liks tām turpināt retināt.Līdz ar to tiek prognozēts, ka no 2022. līdz 2024. gadam biezums nedaudz samazināsies, un pēc 2025. gada biezums saglabāsies aptuveni 170 μm;p-tipa monokristāliskā silīcija plāksnīšu vidējais biezums ir aptuveni 170 μm, un sagaidāms, ka 2025. un 2030. gadā tas samazināsies līdz 155 μm un 140 μm. No n tipa monokristāliskā silīcija plāksnēm HJT šūnām izmantoto silīcija plātņu biezums ir aptuveni 150 μm, un TOPCon šūnām izmantoto n tipa silīcija plātņu vidējais biezums ir 165 μm.135 μm.
Turklāt polikristāliskā silīcija plātņu ražošana patērē vairāk silīcija nekā monokristāliskā silīcija vafeles, taču ražošanas posmi ir salīdzinoši vienkārši, kas nodrošina polikristāliskā silīcija plātņu izmaksu priekšrocības.Polikristāliskam silīcijam, kas ir izplatīts izejmateriāls polikristāliskā silīcija plāksnītēm un monokristāliskā silīcija plāksnēm, ir atšķirīgs patēriņš abu ražošanā, kas ir saistīts ar atšķirībām abu tīrības un ražošanas posmu ziņā.2021. gadā polikristāliskā lietņa silīcija patēriņš ir 1,10 kg/kg.Paredzams, ka ierobežotās investīcijas pētniecībā un attīstībā nākotnē radīs nelielas izmaiņas.Vilkšanas stieņa silīcija patēriņš ir 1,066 kg/kg, un ir noteikta vieta optimizācijai.Paredzams, ka 2025. un 2030. gadā tas būs 1,05 kg/kg un 1,043 kg/kg.Vienkristāla vilkšanas procesā vilkšanas stieņa silīcija patēriņu var samazināt, samazinot tīrīšanas un drupināšanas zudumus, stingri kontrolējot ražošanas vidi, samazinot gruntskrāsu īpatsvaru, uzlabojot precizitātes kontroli un optimizējot klasifikāciju. un degradētu silīcija materiālu apstrādes tehnoloģija.Lai gan polikristāliskā silīcija plātņu silīcija patēriņš ir augsts, polikristāliskā silīcija vafeļu ražošanas izmaksas ir salīdzinoši augstas, jo polikristāliskā silīcija lietņus ražo, karsti kausējot lietņus, savukārt monokristāliskā silīcija lietņus parasti ražo, lēni augot Czochralski monokristāla krāsnī. kas patērē salīdzinoši lielu jaudu.Zems.2021. gadā monokristāliskā silīcija plātņu vidējās ražošanas izmaksas būs aptuveni 0,673 juaņas/W, bet polikristāliskā silīcija vafeļu – 0,66 juaņas/W.
Samazinoties silīcija vafeles biezumam un samazinoties dimanta stieples kopnes diametram, vienāda diametra silīcija stieņu/lietņu izlaide uz kilogramu palielināsies, un tāda paša svara monokristāla silīcija stieņu skaits būs lielāks par to. no polikristāliskā silīcija lietņiem.Runājot par jaudu, katras silīcija plāksnītes izmantotā jauda atšķiras atkarībā no veida un izmēra.2021. gadā p-tipa 166 mm izmēra monokristālisko kvadrātveida stieņu izlaide ir aptuveni 64 gabali uz kilogramu, bet polikristālisko kvadrātveida stieņu izlaide ir aptuveni 59 gabali.Starp p-veida monokristāla silīcija vafelēm 158,75 mm izmēra monokristālisku kvadrātveida stieņu izlaide ir aptuveni 70 gabali uz kilogramu, p-tipa 182 mm izmēra monokristāla kvadrātveida stieņu izlaide ir aptuveni 53 gabali uz kilogramu, un p izlaide. -tipa 210mm izmēra vienkristāla stieņi uz kilogramu ir aptuveni 53 gab.Kvadrātveida stieņa izlaide ir aptuveni 40 gabali.No 2022. līdz 2030. gadam nepārtraukta silīcija plātņu retināšana neapšaubāmi izraisīs tāda paša tilpuma silīcija stieņu/lietņu skaita pieaugumu.Mazāks dimanta stieples kopnes diametrs un vidējais daļiņu izmērs arī palīdzēs samazināt griešanas zudumus, tādējādi palielinot saražoto vafeļu skaitu.daudzums.Tiek lēsts, ka 2025. un 2030. gadā p-tipa 166 mm izmēra monokristālisko kvadrātveida stieņu izlaide ir aptuveni 71 un 78 gabali uz kilogramu, bet polikristālisko kvadrātveida lietņu izlaide ir aptuveni 62 un 62 gabali, kas ir saistīts ar zemo tirgu. polikristāliskā silīcija vafeļu daļa Ir grūti izraisīt ievērojamu tehnoloģisko progresu.Dažādu veidu un izmēru silīcija vafeļu jauda atšķiras.Saskaņā ar paziņojuma datiem 158,75 mm silīcija plātņu vidējā jauda ir aptuveni 5,8 W/gabalā, 166 mm izmēra silīcija plātņu vidējā jauda ir aptuveni 6,25 W/gab., bet 182 mm silīcija plātņu vidējā jauda ir aptuveni 6,25 W/gab. .Silīcija vafeles izmēra vidējā jauda ir aptuveni 7,49 W/gabalā, un 210 mm izmēra silīcija vafeles vidējā jauda ir aptuveni 10 W/gab.
Pēdējos gados silīcija vafeles ir pakāpeniski attīstījušās liela izmēra virzienā, un lielais izmērs veicina vienas mikroshēmas jaudas palielināšanu, tādējādi samazinot šūnu izmaksas, kas nav saistītas ar silīciju.Tomēr, pielāgojot silīcija plāksnīšu izmēru, ir jāņem vērā arī augšupējās un lejupējās atbilstības un standartizācijas problēmas, jo īpaši slodzes un lielās strāvas problēmas.Šobrīd tirgū pastāv divas nometnes attiecībā uz silīcija vafeļu izmēra nākotnes attīstības virzienu, proti, 182 mm izmērs un 210 mm izmērs.Priekšlikums par 182 mm galvenokārt ir no vertikālās nozares integrācijas viedokļa, pamatojoties uz apsvērumiem par fotoelektrisko elementu uzstādīšanu un transportēšanu, moduļu jaudu un efektivitāti, kā arī sinerģiju starp augšup un lejup.savukārt 210 mm galvenokārt ir no ražošanas izmaksu un sistēmas izmaksu viedokļa.210 mm silīcija plātņu jauda palielinājās par vairāk nekā 15% vienas krāsns stieņu vilkšanas procesā, pakārtotās akumulatora ražošanas izmaksas tika samazinātas par aptuveni 0,02 juaņa/W, un kopējās spēkstacijas būvniecības izmaksas tika samazinātas par aptuveni 0,1 juaņa/ W.Paredzams, ka tuvāko gadu laikā pakāpeniski tiks likvidētas silīcija vafeles, kuru izmērs ir mazāks par 166 mm;210 mm silīcija plātņu saskaņošanas problēmas tiks pakāpeniski atrisinātas, un izmaksas kļūs par svarīgāku faktoru, kas ietekmēs uzņēmumu ieguldījumus un ražošanu.Līdz ar to palielināsies 210 mm silīcija plātņu tirgus daļa.Vienmērīgs pieaugums;182 mm silīcija plāksnīte kļūs par galveno izmēru tirgū, pateicoties tās priekšrocībām vertikāli integrētā ražošanā, taču, attīstot 210 mm silīcija plāksnīšu pielietošanas tehnoloģiju, 182 mm tai tiks piešķirta.Turklāt lielāka izmēra silīcija vafeles tuvākajos gados ir grūti plaši izmantot tirgū, jo ievērojami palielināsies darbaspēka izmaksas un liela izmēra silīcija plātņu uzstādīšanas risks, ko ir grūti kompensēt ar ražošanas izmaksu un sistēmas izmaksu ietaupījumi..2021. gadā tirgū pieejamie silīcija vafeļu izmēri ir 156,75 mm, 157 mm, 158,75 mm, 166 mm, 182 mm, 210 mm utt. Tostarp 158,75 mm un 166 mm izmērs veidoja 50% no kopējā apjoma, un 5 mm izmērs. samazināts līdz 5%, kas nākotnē tiks pakāpeniski aizstāts;166 mm ir lielākā izmēra risinājums, ko var uzlabot esošajai akumulatoru ražošanas līnijai, kas būs lielākais izmērs pēdējo divu gadu laikā.Runājot par pārejas apjomu, sagaidāms, ka 2030. gadā tirgus daļa būs mazāka par 2 %;2021. gadā kopējais izmērs 182 mm un 210 mm veidos 45%, un tirgus daļa nākotnē strauji pieaugs.Paredzams, ka kopējā tirgus daļa 2030. gadā pārsniegs 98%.
Pēdējos gados monokristāliskā silīcija tirgus daļa ir turpinājusi palielināties, un tas ir ieņēmis galveno pozīciju tirgū.No 2012. līdz 2021. gadam monokristāliskā silīcija īpatsvars pieauga no mazāk nekā 20% līdz 93,3%, kas ir ievērojams pieaugums.2018. gadā tirgū esošās silīcija vafeles galvenokārt ir polikristāliskā silīcija vafeles, kas veido vairāk nekā 50%.Galvenais iemesls ir tas, ka monokristāliskā silīcija plātņu tehniskās priekšrocības nevar segt izmaksu trūkumus.Kopš 2019. gada, kad monokristāliskā silīcija plāksnīšu fotoelektriskās pārveidošanas efektivitāte ir ievērojami pārsniegusi polikristāliskā silīcija plāksnīšu efektivitāti un monokristāliskā silīcija plāksnīšu ražošanas izmaksas ir turpinājušas samazināties līdz ar tehnoloģiju attīstību, monokristāliskā silīcija plāksnīšu tirgus daļa ir turpinājusi palielināties, kļūstot galveno virzienu tirgū.produkts.Paredzams, ka 2025. gadā monokristāliskā silīcija plāksnīšu īpatsvars sasniegs aptuveni 96%, bet 2030. gadā monokristāliskā silīcija vafeļu tirgus daļa sasniegs 97,7%. (Ziņojuma avots: Future Think Tank)
1.3.Baterijas: PERC akumulatori dominē tirgū, un n-veida akumulatoru attīstība uzlabo produktu kvalitāti
Fotoelementu nozares ķēdes vidusposms ietver fotoelementus un fotoelementu moduļus.Silīcija vafeļu apstrāde šūnās ir vissvarīgākais solis fotoelektriskās pārveides realizācijā.Lai apstrādātu parasto šūnu no silīcija plāksnītes, ir nepieciešami apmēram septiņi soļi.Vispirms ievietojiet silīcija plāksnīti fluorūdeņražskābē, lai uz tās virsmas izveidotu piramīdai līdzīgu zamšādas struktūru, tādējādi samazinot saules gaismas atstarošanos un palielinot gaismas absorbciju;otrs ir Fosfors ir izkliedēts uz vienas silīcija vafeles puses virsmas, veidojot PN savienojumu, un tā kvalitāte tieši ietekmē šūnas efektivitāti;trešais ir noņemt difūzijas stadijā silīcija vafeles sānos izveidoto PN savienojumu, lai novērstu šūnas īssavienojumu;Silīcija nitrīda plēves slānis ir pārklāts pusē, kur veidojas PN savienojums, lai samazinātu gaismas atstarošanu un vienlaikus palielinātu efektivitāti;piektais ir metāla elektrodu drukāšana uz silīcija plāksnītes priekšpuses un aizmugures, lai savāktu mazākuma nesējus, ko rada fotoelementi;Drukāšanas stadijā iespiestā shēma ir saķepināta un veidota, un tā ir integrēta ar silīcija plāksni, tas ir, šūnu;visbeidzot, tiek klasificētas šūnas ar dažādu efektivitāti.
Kristāliskā silīcija šūnas parasti tiek izgatavotas, izmantojot silīcija plāksnītes kā substrātus, un tās var iedalīt p-tipa šūnās un n-tipa šūnās atbilstoši silīcija plāksnīšu veidam.Starp tiem n-veida šūnām ir augstāka konversijas efektivitāte, un tās pēdējos gados pakāpeniski aizstāj p-tipa šūnas.P-veida silīcija vafeles tiek izgatavotas, leģējot silīciju ar boru, un n-veida silīcija vafeles ir izgatavotas no fosfora.Tāpēc bora elementa koncentrācija n-veida silīcija plāksnē ir zemāka, tādējādi kavējot bora-skābekļa kompleksu saistīšanos, uzlabojot silīcija materiāla mazākuma nesēja kalpošanas laiku, un tajā pašā laikā nav foto izraisītas vājināšanās. akumulatorā.Turklāt n-tipa mazākuma nesēji ir caurumi, p-tipa mazākuma nesēji ir elektroni, un vairuma piemaisījumu atomu slazdošais šķērsgriezums caurumiem ir mazāks nekā elektroniem.Tāpēc n-veida šūnas mazākuma nesēja kalpošanas laiks ir lielāks un fotoelektriskās konversijas ātrums ir augstāks.Pēc laboratorijas datiem p-tipa šūnu konversijas efektivitātes augšējā robeža ir 24,5%, bet n-tipa šūnu konversijas efektivitāte ir līdz 28,7%, tātad n-tipa šūnas pārstāv nākotnes tehnoloģiju attīstības virzienu.2021. gadā n tipa šūnām (galvenokārt ietverot heterojunkcijas šūnas un TOPCon šūnas) ir salīdzinoši augstas izmaksas, un masveida ražošanas apjoms joprojām ir neliels.Pašreizējā tirgus daļa ir aptuveni 3%, kas būtībā ir tāda pati kā 2020. gadā.
2021. gadā tiks būtiski uzlabota n-tipa šūnu konversijas efektivitāte, un paredzams, ka nākamajos piecos gados būs vairāk vietas tehnoloģiskajam progresam.2021. gadā p-tipa monokristālisko elementu lielapjoma ražošanā tiks izmantota PERC tehnoloģija, un vidējā konversijas efektivitāte sasniegs 23,1%, kas ir par 0,3 procentpunktiem pieaugums salīdzinājumā ar 2020. gadu;polikristāliskā melnā silīcija elementu konversijas efektivitāte, izmantojot PERC tehnoloģiju, sasniegs 21,0%, salīdzinot ar 2020. gadu. Ikgadējais pieaugums par 0,2 procentpunktiem;parastā polikristāliskā melnā silīcija šūnu efektivitātes uzlabošana nav spēcīga, konversijas efektivitāte 2021. gadā būs aptuveni 19,5%, tikai par 0,1 procentpunktu augstāka, un nākotnes efektivitātes uzlabošanas telpa ir ierobežota;lietņu monokristālisko PERC šūnu vidējā konversijas efektivitāte ir 22,4%, kas ir par 0,7 procentpunktiem zemāka nekā monokristālisko PERC šūnu konversijas efektivitāte;n-tipa TOPCon šūnu vidējā konversijas efektivitāte sasniedz 24%, un heterosavienojuma šūnu vidējā konversijas efektivitāte sasniedz 24,2%, kas abi ir ievērojami uzlaboti, salīdzinot ar 2020. gadu, un IBC šūnu vidējā konversijas efektivitāte sasniedz 24,2%.Nākotnē attīstoties tehnoloģijām, akumulatoru tehnoloģijas, piemēram, TBC un HBC, var arī turpināt progresu.Nākotnē, samazinoties ražošanas izmaksām un uzlabojoties ražībai, n-veida akumulatori būs viens no galvenajiem akumulatoru tehnoloģiju attīstības virzieniem.
No akumulatoru tehnoloģiju maršruta viedokļa akumulatoru tehnoloģiju iteratīvā atjaunināšana galvenokārt ir veikta, izmantojot BSF, PERC, TOPCon, pamatojoties uz PERC uzlabojumiem, un HJT, jaunu tehnoloģiju, kas grauj PERC;TOPCon var tālāk apvienot ar IBC, lai izveidotu TBC, un HJT var arī apvienot ar IBC, lai kļūtu par HBC.P-tipa monokristāliskās šūnas galvenokārt izmanto PERC tehnoloģiju, p-tipa polikristāliskās šūnas ietver polikristālisku melnā silīcija šūnas un lietņu monokristāliskas šūnas, pēdējais attiecas uz monokristālisku sēklu kristālu pievienošanu, pamatojoties uz parasto polikristālisko lietņu procesu, virziena sacietēšanu Pēc tam, a tiek izveidots kvadrātveida silīcija lietnis, un, izmantojot virkni apstrādes procesu, tiek izgatavota silīcija vafele, kas sajaukta ar monokristālu un polikristālisku.Tā kā tajā pamatā izmanto polikristālisku sagatavošanas ceļu, tas ir iekļauts p-tipa polikristālisko šūnu kategorijā.N-tipa šūnās galvenokārt ietilpst TOPCon monokristāliskās šūnas, HJT monokristāliskās šūnas un IBC monokristāliskās šūnas.2021. gadā jaunajās masveida ražošanas līnijās joprojām dominēs PERC šūnu ražošanas līnijas, un PERC šūnu tirgus daļa turpinās pieaugt līdz 91,2%.Tā kā produktu pieprasījums āra un mājsaimniecības projektiem ir koncentrējies uz augstas efektivitātes produktiem, BSF akumulatoru tirgus daļa 2021. gadā samazināsies no 8,8% līdz 5%.
1.4.Moduļi: galveno daļu veido šūnu izmaksas, un moduļu jauda ir atkarīga no šūnām
Fotoelektrisko moduļu ražošanas posmi galvenokārt ietver šūnu savstarpēju savienošanu un laminēšanu, un šūnas veido lielāko daļu no moduļa kopējām izmaksām.Tā kā vienas šūnas strāva un spriegums ir ļoti mazs, šūnas ir jāsavieno caur kopnēm.Šeit tie ir savienoti virknē, lai palielinātu spriegumu, un pēc tam savienoti paralēli, lai iegūtu lielu strāvu, un pēc tam fotoelektriskais stikls, EVA vai POE, akumulatora loksne, EVA vai POE, aizmugurējā loksne tiek noslēgta un termiski presēta noteiktā secībā. , un visbeidzot aizsargāts ar alumīnija rāmi un silikona blīvējuma malu.No komponentu ražošanas izmaksu sastāva viedokļa materiālu izmaksas veido 75%, ieņemot galveno pozīciju, kam seko ražošanas izmaksas, veiktspējas izmaksas un darbaspēka izmaksas.Materiālu izmaksas nosaka šūnu izmaksas.Saskaņā ar daudzu uzņēmumu paziņojumiem, šūnas veido aptuveni 2/3 no kopējām fotoelektrisko moduļu izmaksām.
Fotoelektriskos moduļus parasti iedala pēc šūnu veida, izmēra un daudzuma.Dažādu moduļu jauda atšķiras, taču tie visi ir augšanas stadijā.Jauda ir galvenais fotoelektrisko moduļu rādītājs, kas atspoguļo moduļa spēju pārveidot saules enerģiju elektroenerģijā.No dažāda veida fotoelementu moduļu jaudas statistikas var redzēt, ka tad, kad moduļa šūnu izmērs un skaits ir vienādi, moduļa jauda ir n-tipa monokristāls > p-tipa monokristāls > polikristālisks;Jo lielāks izmērs un daudzums, jo lielāka moduļa jauda;vienas un tās pašas specifikācijas TOPCon monokristālu moduļiem un heterosavienojuma moduļiem pēdējo jauda ir lielāka nekā pirmajam.Saskaņā ar CPIA prognozi tuvāko gadu laikā moduļa jauda pieaugs par 5-10 W gadā.Turklāt moduļa iepakojums radīs noteiktu jaudas zudumu, galvenokārt ieskaitot optiskos zudumus un elektriskos zudumus.Pirmo izraisa iepakojuma materiālu, piemēram, fotoelektriskā stikla un EVA, caurlaidība un optiskā neatbilstība, un otrā galvenokārt attiecas uz saules bateriju izmantošanu sērijveidā.Ķēdes zudums, ko izraisa metināšanas lentes un pašas kopnes pretestība, un strāvas neatbilstības zudums, ko izraisa elementu paralēlais savienojums, abu kopējie jaudas zudumi veido aptuveni 8%.
1.5.Fotoelementu uzstādītā jauda: dažādu valstu politikas ir acīmredzami virzītas, un nākotnē ir daudz vietas jaunai uzstādītajai jaudai
Pasaule būtībā ir panākusi vienprātību par neto nulles emisiju saskaņā ar vides aizsardzības mērķi, un pakāpeniski ir parādījusies virspusējo fotoelementu projektu ekonomika.Valstis aktīvi pēta atjaunojamās enerģijas elektroenerģijas ražošanas attīstību.Pēdējos gados valstis visā pasaulē ir uzņēmušās saistības samazināt oglekļa emisijas.Lielākā daļa lielāko siltumnīcefekta gāzu emitentu ir noteikuši atbilstošus atjaunojamās enerģijas mērķus, un atjaunojamās enerģijas uzstādītā jauda ir milzīga.Pamatojoties uz 1,5 ℃ temperatūras kontroles mērķi, IRENA prognozē, ka pasaulē uzstādītā atjaunojamās enerģijas jauda 2030. gadā sasniegs 10,8 TW. Turklāt saskaņā ar WOODMac datiem saules enerģijas ražošanas elektroenerģijas (LCOE) līmeņa izmaksas Ķīnā, Indijā, Amerikas Savienotajās Valstīs un citās valstīs jau ir zemāka par lētāko fosilo enerģiju, un nākotnē tā turpinās samazināties.Aktīvā politikas veicināšana dažādās valstīs un fotoelektriskās enerģijas ražošanas ekonomika pēdējos gados ir novedusi pie fotoelementu kumulatīvās uzstādītās jaudas stabilas palielināšanās pasaulē un Ķīnā.No 2012. līdz 2021. gadam fotoelementu kumulatīvā uzstādītā jauda pasaulē palielināsies no 104,3 GW līdz 849,5 GW, un fotoelementu kumulatīvā uzstādītā jauda Ķīnā palielināsies no 6,7 GW līdz 307 GW, kas ir vairāk nekā 44 reizes.Turklāt Ķīnas nesen uzstādītā fotoelementu jauda veido vairāk nekā 20% no pasaules kopējās uzstādītās jaudas.2021. gadā Ķīnas no jauna uzstādītā fotoelementu jauda ir 53 GW, kas veido aptuveni 40% no pasaulē no jauna uzstādītās jaudas.Tas galvenokārt ir saistīts ar bagātīgo un vienmērīgo vieglo enerģijas resursu sadalījumu Ķīnā, labi attīstītajiem augšup un lejup pa straumi, kā arī stingru valsts politikas atbalstu.Šajā periodā Ķīnai ir bijusi milzīga loma fotoelektriskās enerģijas ražošanā, un kumulatīvā uzstādītā jauda ir mazāka par 6,5%.uzlēca līdz 36,14%.
Pamatojoties uz iepriekš minēto analīzi, CPIA ir sniegusi prognozi par nesen palielinātu fotoelektrisko iekārtu skaitu no 2022. līdz 2030. gadam visā pasaulē.Tiek lēsts, ka gan optimistiskos, gan konservatīvos apstākļos globālā no jauna uzstādītā jauda 2030. gadā būs attiecīgi 366 un 315 GW, un Ķīnas no jauna uzstādītā jauda būs 128, 105 GW.Tālāk mēs prognozēsim pieprasījumu pēc polisilīcija, pamatojoties uz katru gadu no jauna uzstādītās jaudas mērogu.
1.6.Polisilīcija pieprasījuma prognoze fotoelementu lietojumiem
No 2022. gada līdz 2030. gadam, pamatojoties uz CPIA prognozēm par pasaules nesen palielinātajām FE iekārtām gan optimistiskā, gan konservatīvā scenārijā, var prognozēt pieprasījumu pēc polisilīcija PV lietojumiem.Šūnas ir galvenais solis, lai realizētu fotoelektrisko pārveidi, un silīcija vafeles ir elementu pamata izejvielas un tiešā polisilīcija lejup pa straumi, tāpēc tā ir svarīga polisilīcija pieprasījuma prognozēšanas sastāvdaļa.Svērto gabalu skaitu uz kilogramu silīcija stieņu un lietņu var aprēķināt no gabalu skaita kilogramā un silīcija stieņu un lietņu tirgus daļas.Pēc tam atbilstoši dažāda izmēra silīcija vafeļu jaudai un tirgus daļai var iegūt silīcija plāksnīšu svērto jaudu un pēc tam novērtēt nepieciešamo silīcija plāksnīšu skaitu atbilstoši no jauna uzstādītajai fotoelementu jaudai.Tālāk nepieciešamo silīcija stieņu un lietņu svaru var iegūt atbilstoši kvantitatīvajai attiecībai starp silīcija plāksnīšu skaitu un silīcija stieņu un silīcija lietņu svērto skaitu kilogramā.Apvienojumā ar svērto silīcija patēriņu silīcija stieņos/silīcija lietņos beidzot var iegūt pieprasījumu pēc polisilīcija no jauna uzstādītai fotoelektriskajai jaudai.Saskaņā ar prognozes rezultātiem globālais pieprasījums pēc polisilīcija jaunām fotoelementu iekārtām pēdējos piecos gados turpinās pieaugt, sasniedzot maksimumu 2027. gadā, bet pēc tam nedaudz samazināsies nākamajos trīs gados.Tiek lēsts, ka optimistiskos un konservatīvos apstākļos 2025. gadā globālais ikgadējais pieprasījums pēc polisilīcija fotoelementu iekārtām būs attiecīgi 1 108 900 tonnas un 907 800 tonnas, un globālais pieprasījums pēc polisilīcija fotoelementu lietojumiem 2030. gadā būs 1 0042 optimistisks un konservatīvs 100 042 apstākļos. ., 896 900 tonnas.Saskaņā ar Ķīnaspasaules fotoelementu uzstādītās jaudas īpatsvars,Ķīnas pieprasījums pēc polisilīcija fotoelementu izmantošanai 2025. gadāParedzams, ka optimistiskos un konservatīvos apstākļos būs attiecīgi 369 600 tonnas un 302 600 tonnas, bet ārzemēs - attiecīgi 739 300 tonnas un 605 200 tonnas.
2, Pusvadītāju gala pieprasījums: mērogs ir daudz mazāks nekā pieprasījums fotoelementu jomā, un var sagaidīt izaugsmi nākotnē
Papildus fotoelektrisko elementu ražošanai polisilīciju var izmantot arī kā izejvielu mikroshēmu ražošanai, un to izmanto pusvadītāju jomā, ko var iedalīt automobiļu ražošanā, rūpnieciskajā elektronikā, elektroniskajās komunikācijās, sadzīves tehnikas un citās jomās.Process no polisilīcija līdz mikroshēmai galvenokārt ir sadalīts trīs posmos.Vispirms polisilīciju ievelk monokristāliskā silīcija lietņos un pēc tam sagriež plānās silīcija plāksnēs.Silīcija vafeles tiek ražotas, veicot vairākas slīpēšanas, slīpēšanas un pulēšanas darbības., kas ir pusvadītāju rūpnīcas pamatizejviela.Visbeidzot, silīcija plāksne tiek sagriezta un ar lāzeru iegravēta dažādās ķēdes konstrukcijās, lai izgatavotu mikroshēmu izstrādājumus ar noteiktām īpašībām.Parastās silīcija vafeles galvenokārt ietver pulētas vafeles, epitaksiālās plāksnes un SOI plāksnes.Pulēta vafele ir mikroshēmu ražošanas materiāls ar augstu plakanumu, ko iegūst, pulējot silīcija vafeles, lai noņemtu bojāto slāni uz virsmas, ko var tieši izmantot mikroshēmu, epitaksiālo plāksnīšu un SOI silīcija vafeļu izgatavošanai.Epitaksiālās plāksnītes tiek iegūtas, epitaksiski augot pulētas plāksnītes, savukārt SOI silīcija plāksnītes tiek izgatavotas, savienojot vai implantējot jonu uz pulētiem vafeles substrātiem, un sagatavošanas process ir salīdzinoši sarežģīts.
Ņemot vērā pieprasījumu pēc polisilīcija pusvadītāju pusē 2021. gadā, apvienojumā ar aģentūras prognozi par pusvadītāju nozares izaugsmes tempu nākamajos gados, var aptuveni aplēst pieprasījumu pēc polisilīcija pusvadītāju jomā no 2022. līdz 2025. gadam.2021. gadā globālā elektroniskās kvalitātes polisilīcija ražošana veidos aptuveni 6% no kopējās polisilīcija produkcijas, un saules šķiedrām atbilstošā polisilīcija un granulētais silīcijs veidos aptuveni 94%.Lielākā daļa elektroniskās kvalitātes polisilīcija tiek izmantota pusvadītāju jomā, un citu polisilīciju galvenokārt izmanto fotoelementu rūpniecībā..Līdz ar to var pieņemt, ka pusvadītāju rūpniecībā izmantotais polisilīcija daudzums 2021. gadā ir aptuveni 37 000 tonnu.Turklāt saskaņā ar FortuneBusiness Insights prognozēto pusvadītāju nozares turpmāko savienojumu pieauguma tempu pieprasījums pēc polisilīcija pusvadītāju izmantošanai no 2022. līdz 2025. gadam pieaugs par 8,6% gadā. Tiek lēsts, ka 2025. gadā pieprasījums pēc polisilīcija pusvadītāju laukā būs aptuveni 51 500 tonnas.(Ziņojuma avots: Future Think Tank)
3, Polisilīcija imports un eksports: imports ievērojami pārsniedz eksportu, un Vācijas un Malaizijas īpatsvars ir lielāks
2021. gadā aptuveni 18,63% no Ķīnas polisilīcija pieprasījuma veidos imports, un importa apjoms ievērojami pārsniedz eksporta apjomu.No 2017. līdz 2021. gadam polisilīcija importa un eksporta modelī dominē imports, kas, iespējams, ir saistīts ar spēcīgu pakārtoto pieprasījumu pēc fotoelementu nozares, kas pēdējos gados ir strauji attīstījies, un tās pieprasījums pēc polisilīcija veido vairāk nekā 94% no kopējais pieprasījums;Turklāt uzņēmums vēl nav apguvis augstas tīrības pakāpes elektroniskas kvalitātes polisilīcija ražošanas tehnoloģiju, tāpēc daļai polisilīcija, kas nepieciešama integrālo shēmu nozarei, joprojām ir jāpaļaujas uz importu.Saskaņā ar Silīcija rūpniecības nozares datiem importa apjoms turpināja samazināties 2019. un 2020. gadā. Polisilīcija importa krituma galvenais iemesls 2019. gadā bija būtisks ražošanas jaudas pieaugums, kas no 388 000 tonnu 2018. gadā pieauga līdz 452 000 tonnu 2019. gadā. Tajā pašā laikā OCI, REC, HANWHA Daži ārzemju uzņēmumi, piemēram, daži ārvalstu uzņēmumi, ir izstājušies no polisilīcija nozares zaudējumu dēļ, tāpēc polisilīcija importa atkarība ir daudz mazāka;Lai gan ražošanas jauda 2020. gadā nav palielinājusies, epidēmijas ietekme ir izraisījusi fotoelektrisko projektu būvniecības aizkavēšanos, un polisilīcija pasūtījumu skaits tajā pašā periodā ir samazinājies.2021. gadā Ķīnas fotoelementu tirgus strauji attīstīsies, un šķietamais polisilīcija patēriņš sasniegs 613 000 tonnu, tādējādi palielinot importa apjomu.Pēdējo piecu gadu laikā Ķīnas neto polisilīcija importa apjoms ir bijis no 90 000 līdz 140 000 tonnām, no kurām aptuveni 103 800 tonnas 2021. gadā. Paredzams, ka Ķīnas neto polisilīcija importa apjoms saglabāsies aptuveni 100 000 tonnu gadā no 2022. gada līdz 2022. gadam.
Ķīnas polisilīcija imports galvenokārt nāk no Vācijas, Malaizijas, Japānas un Taivānas, Ķīnas, un kopējais imports no šīm četrām valstīm 2021. gadā veidos 90,51%. Aptuveni 45% no Ķīnas polisilīcija importa nāk no Vācijas, 26% no Malaizijas, 13,5% no Japānas un 6% no Taivānas.Vācijai pieder pasaules polisilīcija gigants WACKER, kas ir lielākais aizjūras polisilīcija avots, kas 2021. gadā veido 12,7% no kopējās pasaules ražošanas jaudas;Malaizijā ir liels skaits polisilīcija ražošanas līniju no Dienvidkorejas uzņēmuma OCI, kuru izcelsme ir Japānas uzņēmuma TOKUYAMA sākotnējās ražošanas līnijas Malaizijā, ko iegādājās OCI.Ir rūpnīcas un dažas rūpnīcas, kuras OCI pārcēla no Dienvidkorejas uz Malaiziju.Pārcelšanas iemesls ir tas, ka Malaizija nodrošina brīvas rūpnīcas telpas un elektroenerģijas izmaksas ir par trešdaļu zemākas nekā Dienvidkorejā;Japānā un Taivānā, Ķīnā ir TOKUYAMA, GET un citi uzņēmumi, kas aizņem lielu polisilīcija ražošanas daļu.vieta.2021. gadā polisilīcija izlaide būs 492 000 tonnu, no kurām no jauna uzstādītā fotoelementu jauda un pieprasījums pēc mikroshēmu ražošanas būs attiecīgi 206 400 tonnas un 1500 tonnas, bet atlikušās 284 100 tonnas galvenokārt tiks izmantotas pakārtotajai apstrādei un eksportētas uz ārzemēm.Polisilīcija pakārtotajos posmos galvenokārt tiek eksportētas silīcija plāksnes, elementi un moduļi, tostarp moduļu eksports ir īpaši nozīmīgs.2021. gadā tika izmantoti 4,64 miljardi silīcija plāksnīšu un 3,2 miljardi fotoelementu.eksportētsno Ķīnas, kopējais eksports ir attiecīgi 22,6 GW un 10,3 GW, un fotoelektrisko moduļu eksports ir 98,5 GW, ar ļoti nelielu importu.Runājot par eksporta vērtības sastāvu, moduļu eksports 2021. gadā sasniegs 24,61 miljardu ASV dolāru, kas veido 86%, kam sekos silīcija vafeles un baterijas.2021. gadā globālā silīcija plāksnīšu, fotoelektrisko elementu un fotoelektrisko moduļu produkcija sasniegs attiecīgi 97,3%, 85,1% un 82,3%.Paredzams, ka nākamo trīs gadu laikā globālā fotoelementu nozare turpinās koncentrēties Ķīnā, un katras saites produkcijas un eksporta apjoms būs ievērojams.Tāpēc tiek lēsts, ka no 2022. līdz 2025. gadam pakārtoto produktu pārstrādei un ražošanai izmantotā un uz ārvalstīm eksportētā polisilīcija apjoms pakāpeniski pieaugs.To aprēķina, no aizjūras polisilīcija pieprasījuma atņemot produkciju ārzemēs.Tiek lēsts, ka 2025. gadā polisilīcijs, kas ražots, pārstrādājot pakārtotos produktos, no Ķīnas eksportēs uz ārvalstīm 583 000 tonnu
4, Kopsavilkums un perspektīva
Globālais polisilīcija pieprasījums galvenokārt ir koncentrēts fotoelementu laukā, un pieprasījums pusvadītāju laukā nav liels.Pieprasījumu pēc polisilīcija nosaka fotoelektriskās iekārtas, un tas pakāpeniski tiek pārnests uz polisilīciju, izmantojot fotoelementu moduļu – elementa-vafeles savienojumu, radot pieprasījumu pēc tā.Nākotnē, palielinoties globālajai fotoelementu uzstādītajai jaudai, pieprasījums pēc polisilīcija kopumā ir optimistisks.Optimistiski raugoties, Ķīnā un ārzemēs nesen palielinātas FE iekārtas, kas izraisīs pieprasījumu pēc polisilīcija 2025. gadā, būs attiecīgi 36,96 GW un 73,93 GW, un pieprasījums konservatīvos apstākļos arī sasniegs attiecīgi 30,24 GW un 60,49 GW.2021. gadā globālais polisilīcija piedāvājums un pieprasījums būs saspringts, kā rezultātā pasaules polisilīcija cenas būs augstas.Šāda situācija var turpināties līdz 2022. gadam un pakāpeniski pāriet uz brīva piedāvājuma stadiju pēc 2023. gada. 2020. gada otrajā pusē epidēmijas ietekme sāka vājināties, un pakārtotās ražošanas paplašināšanās izraisīja pieprasījumu pēc polisilīcija, un daži vadošie uzņēmumi plānoja lai paplašinātu ražošanu.Taču vairāk nekā pusotru gadu ilgā paplašināšanās cikla rezultātā 2021. un 2022. gada beigās tika atbrīvota ražošanas jauda, kā rezultātā 2021. gadā tas pieauga par 4,24%. Pastāv 10 000 tonnu piedāvājuma starpība, tāpēc cenas ir augušas asi.Tiek prognozēts, ka 2022. gadā optimistiskajos un konservatīvajos fotoelementu uzstādītās jaudas apstākļos piedāvājuma un pieprasījuma starpība būs attiecīgi -156 500 tonnas un 2400 tonnas, un kopējais piedāvājums joprojām būs salīdzinoši deficīta stāvoklī.2023. gadā un turpmākajos gados jaunos projektos, kuru būvniecība tika uzsākta 2021. gada beigās un 2022. gada sākumā, tiks uzsākta ražošana un tiks palielināta ražošanas jauda.Piedāvājums un pieprasījums pakāpeniski samazināsies, un cenas var tikt pakļautas lejupvērstam spiedienam.Turpmākajā darbībā uzmanība jāpievērš Krievijas un Ukrainas kara ietekmei uz globālo enerģētikas modeli, kas var mainīt globālo plānu par jaunuzstādīto fotoelektrisko jaudu, kas ietekmēs pieprasījumu pēc polisilīcija.
(Šis raksts ir paredzēts tikai uzziņai UrbanMines klientiem un nesniedz nekādus ieguldījumu padomus)